特許

J-GLOBAL ID：200903068490187218

磁気トンネル素子及びその製造方法

発明者： 熊谷 静似 ,  中塩 栄治 ,  菅原 淳一 ,  池田 義人
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-263696
公開番号（公開出願番号）：特開2000-099923
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】トンネル電流が絶縁層に確実に流れ、安定的な磁気トンネリング効果を発現する。【解決手段】 少なくとも、第1の磁性層と、この第1の磁性層上に形成されたトンネル障壁層と、このトンネル障壁層上に形成された第2の磁性層とを有し、上記トンネル障壁層を介して上記第1の磁性層及び上記第2の磁性層の間にトンネル電流が流れる磁気トンネル素子において、上記第1の磁性層の上記トンネル障壁層が形成される表面の平均粗さ(Ra)が0.3nm以下であることを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

少なくとも、第1の磁性層と、この第1の磁性層上に形成されたトンネル障壁層と、このトンネル障壁層上に形成された第2の磁性層とを有し、上記トンネル障壁層を介して上記第1の磁性層及び上記第2の磁性層の間にトンネル電流が流れる磁気トンネル素子において、上記第1の磁性層の上記トンネル障壁層が形成される表面の平均粗さ(Ra)が0.3nm以下であることを特徴とする磁気トンネル素子。

Fターム (4件)：

5D034BA15 ,  5D034BB20 ,  5D034CA00 ,  5D034DA07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強磁性トンネル効果膜を用いた磁気抵抗効果素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-246133   出願人：日本電気株式会社
• トンネリング磁気抵抗効果素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-173695   出願人：住友金属工業株式会社