特許
J-GLOBAL ID：200903068503434490
半導体超格子を有する半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-212195
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057464
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】【課題】 AlBGa(1-B)Nでなる障壁層とAlWGa(1-W)Nでなる井戸層とを有する半導体超格子を有する半導体装置において、その半導体超格子を、高いキャリア濃度を有し、従って低い抵抗しか有しない構成とする。【解決手段】 半導体超格子の障壁層が、それを構成しているAlBGa(1-B)NのBについて、0.9≧B≧0.2で表される範囲内の値を有し、厚さDBについて、400Å≧DB≧40Åで表される範囲内の上記Bの値が大きくなるのに応じて小さくなる値を有し、半導体超格子の井戸層が、それを構成しているAlWGa(1-W)NのWについて、B-0.2≧W≧0で表される範囲内の値を有し、厚さDWについて、DB>DW、600Å-DB≧DWで表される範囲内の上記Wの値が大きくなるのに応じて小さくなる値を有している。
請求項（抜粋）：
障壁層と井戸層とが交互順次に積層されている構成を有する半導体超格子を有する半導体装置において、上記半導体超格子の障壁層が、AlBGa(1-B)N(ただし、Bは、一般に1以下の数)でなり且つ導電型を与える不純物を意図的にドープしているとともにDBの厚さを有する第1の半導体層でなり、上記半導体超格子の井戸層が、AlWGa(1-W)N(ただし、Wは、一般に1以下の数)でなり且つ上記第1の半導体層がドープしている不純物と同じ導電型を与える不純物をドープしているとともにDWの厚さを有する第2の半導体層でなり、上記半導体超格子の障壁層を構成している第1の半導体層が、それを構成しているAlBGa(1-B)NにおけるBについて、0.9≧B≧0.2で表される範囲内の値を有し、厚さDBについて、400Å≧DB≧25Åで表される範囲内の上記Bの値が大きくなるのに応じて小さくなる値を有し、上記半導体超格子の井戸層を構成している第2の半導体層が、それを構成しているAlWGa(1-W)NにおけるWについて、B-0.2≧W≧0で表される範囲内の値を有し、厚さDWについて、DB>DW、600Å-DB≧DWで表される範囲内の上記Wの値が大きくなるのに応じて小さくなる値を有することを特徴とする半導体超格子を有する半導体装置。
Fターム (7件)：
5F073AA55
, 5F073AA77
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073EA23
, 5F073EA29
出願人引用 (2件)
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窒化物半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-364012
出願人：日亜化学工業株式会社
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窒化物半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-285404
出願人：日亜化学工業株式会社
審査官引用 (2件)
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窒化物半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-364012
出願人：日亜化学工業株式会社
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窒化物半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-285404
出願人：日亜化学工業株式会社
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