特許

J-GLOBAL ID：200903068524951443

マイクロ素子の冷却方法、磁気再生ヘッドの製造方法、マイクロデバイスおよび磁気再生ヘッド

発明者： ▲劉▼ 越 ,  朱 克▲強▼ ,  張 介威 ,  陳 肇陵
出願人/特許権者： ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-152383
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349708
出願日： 2004年05月21日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】 簡素な構成でありながら作動時の温度上昇を抑制でき、出力電圧の増大を図ることのできる磁気再生ヘッドを提供する。【解決手段】 互いに異なる熱電能を有する下部および上部リード層21,23を、GMR素子10を挟んで対向するように隣接配置し、さらに、その外側に下部および上部ヒートシンク25,26を設ける。上部および下部リード層21,23を介してGMR素子10に適切な方向のセンス電流を流すことにより、GMR素子10で発生するジュール熱を、熱電効果を利用して下部および上部ヒートシンク25,26によって継続的に吸収し、GMR素子10を冷却する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

導電性を有するマイクロ素子を冷却する方法であって、 第1のリード層を、前記マイクロ素子の第1の面と接続するステップと、 前記第1のリード層とは異なる熱電能を有する第2のリード層を、前記マイクロ素子における第1の面とは反対側の第2の面と接続するステップと、 前記第1および第2のリード層のうちの少なくとも一方を、ヒートシンクと接続するステップと、 前記第1および第2のリード層を介して前記マイクロ素子へ流した直流電流に起因して前記マイクロ素子に生ずる熱を前記ヒートシンクへ移動させるステップと を含むことを特徴とするマイクロ素子の冷却方法。

IPC (5件)：

H01L35/20 ,  G11B5/39 ,  H01L35/30 ,  H01L35/32 ,  H01L43/08

FI (5件)：

H01L35/20 ,  G11B5/39 ,  H01L35/30 ,  H01L35/32 ,  H01L43/08 Z

Fターム (5件)：

5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA09 ,  5D034CA02 ,  5D034DA07

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 米国特許第6452740号明細書
  
• 米国特許第6105381号明細書
  
• 米国特許第6353318号明細書
  
• 米国特許第5627704号明細書
  
• 米国特許第5668688号明細書
  

審査官引用 (3件)

• 薄膜熱電変換素子及びそれを用いた半導体デバイス及びそれを用いたプリント基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-105557   出願人：シャープ株式会社
• 磁気抵抗効果型磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-178469   出願人：ソニー株式会社
• 半導体を用いた熱電装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-300717   出願人：富士通株式会社