特許
J-GLOBAL ID：200903068550026138

プラズマスパッタ装置

発明者：
有賀 美知雄

有賀 美知雄 について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-301753
公開番号（公開出願番号）：特開平10-140346
出願日： 1996年11月13日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：
【要約】【課題】 スパッタ原子のイオン化率を改善するIPC方式のプラズマスパッタ装置を提供すること。【解決手段】 本発明は、真空チャンバ10内に誘導結合プラズマを発生させるプラズマスパッタ装置において、前記誘導結合プラズマを発生すべく真空チャンバ10内に配置された略円筒形の一巻き型のコイル26と、コイル26に高周波電力を印加する高周波電源34とを備えたことを特徴とする。この構成を2極スパッタ装置に適用した場合、コイル26はペディスタル18とターゲット16との間に配置されるが、このコイル26は略円筒形であるので、シールドとしても機能する。これによりコイル26の内径を十分に小さくすることが可能となり、真空チャンバ10の中央部分のプラズマ密度を高め、そこを通過するスパッタ原子のイオン化率を改善することができる。
請求項（抜粋）：
真空チャンバ内に誘導結合プラズマを発生させるプラズマスパッタ装置において、前記誘導結合プラズマを発生すべく前記真空チャンバ内に配置された略円筒形の一巻き型のコイルと、前記コイルに高周波電力を印加する高周波電源とを備えるプラズマスパッタ装置。
IPC (3件)：
C23C 14/35 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285
FI (3件)：
C23C 14/35 Z ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • スパッタリング装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-318115   出願人：日本電信電話株式会社
  • 特開平4-147969
  • スパッタリング装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-058345   出願人：株式会社日立製作所
審査官引用 (3件)
  • スパッタリング装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-318115   出願人：日本電信電話株式会社
  • 特開平4-147969
  • スパッタリング装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-058345   出願人：株式会社日立製作所

前のページに戻る

TOP

BOTTOM