電力用半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-285455
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114520
出願日： 1998年10月07日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】低オン抵抗と高耐圧を同時に満足できる、マルチリサーフ層を備えた横型パワーMOSFETを実現すること。【解決手段】埋込み酸化膜2に達しない深さのp- 型ドリフト層4を形成するとともに、n- 型ドリフト層のn型不純物のドーズ量を多くする。

請求項（抜粋）：

絶縁領域上に設けられた高抵抗の第1導電型活性層と、この第1導電型活性層の表面に選択的に形成された第2導電型ボディ層と、この第2導電型ボディ層の表面に選択的に形成された第1導電型ソース層と、前記第1導電型活性層の表面に前記第2導電型ボディ層とは離れて選択的に形成された第1導電型ドレイン層と、前記第1導電型ソース層と前記第1導電型活性層とで挟まれた領域の前記第2導電型ボディ層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第2導電型ボディ層と前記第1導電型ドレイン層とで挟まれた領域の前記第1導電型活性層の表面に、前記第2導電型ボディ層から前記第1導電型ドレイン層に向かってストライプ状に形成され、かつ互いに所定距離だけ離れて形成された複数の高抵抗の第2導電型ドリフト層とを具備し、これらの第2導電型ドリフト層で挟まれた領域をストライプ状の第1導電型ドリフト層とすることを特徴とする電力用半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 652 H

Fターム (4件)：

5F040DA00 , 5F040DA22 , 5F040EA00 , 5F040EB12

引用特許：

出願人引用 (3件)

高耐圧半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-188855 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-004918 出願人：富士電機株式会社
パワーMOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-076503 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

審査官引用 (3件)

高耐圧半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-188855 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-004918 出願人：富士電機株式会社
パワーMOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-076503 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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