特許
J-GLOBAL ID：200903068660198716
薄膜磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-346034
公開番号（公開出願番号）：特開2000-137909
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子層の上下に形成されているシールド層は単層で形成されていたが、前記シールド層の磁区構造は多磁区化しており、シールド機能が低下するばかりでなく、磁気抵抗効果素子層が、前記シールド層の磁区構造の影響を受けるといった問題があった。【解決手段】 下部シールド層20は、4層の磁性層31が非磁性中間層32を介して積層された多層構造で形成されている。各磁性層31の端部から発せられる静磁結合によって各磁性層31の単磁区化を促進させることができる。また上部シールド層26は、多層構造により磁性層33,35が単磁区化されており、しかもシールド機能とコア機能とを同時に向上できる構造となっている。
請求項（抜粋）：
下部シールド層と、前記下部シールド層の上に形成された磁気抵抗効果素子層と、前記磁気抵抗効果素子層の上に形成されシールド機能とコア機能を兼用する上部シールド層と、前記上部シールド層と記録媒体との対向面で、磁気ギャップを介して対向する上部コア層と、前記上部シールド層及び上部コア層に磁界を与えるコイル層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部シールド層は2層の磁性層が非磁性中間層を介して積層されたものであり、前記2層の磁性層のうち、上側に形成されている磁性層の飽和磁化Msが、下側に形成されている磁性層の飽和磁化Msよりも大きいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
引用特許：
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