特許

J-GLOBAL ID：200903068693335727

半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法

発明者： 本間 哲哉 ,  村尾 幸信
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-304196
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161705
出願日： 1993年12月03日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】微細配線間隙に空洞が発生せず、平坦性に優れ、かつ、残留水分量・吸湿量の少ない多層配線層間絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】炭素数3以上のアルキル基を有するフルオロアルコキシシランをと酸化性ガスとを用いる化学気相成長法を用いてフロー性の高いフッ素含有シリコン酸化膜405を形成し、層間絶縁膜の1部に用いる。また、炭素数1以上のアルキル基を有するフルオロアルコキシシランと酸化性ガスとを用いる化学気相成長法において、沸点が90°C以上の高沸点溶剤を添加せしめることによってフロー性の高いフッ素含有シリコン酸化膜405を形成し、層間絶縁膜の1部に用いる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、絶縁膜を介して下層配線を形成する工程と、この下層配線上を含む全面に酸化シリコンを主成分とする第1の絶縁膜を形成する工程と、炭素数3以上のアルキル基を有するフルオロアルコキシシラン〔化学式:FnSi(OR)4-n ,n:1,2,3,R:炭素数3以上のアルキル基〕と酸化性ガスを用いる化学気相成長法によって、フッ素含有シリコン酸化膜を形成する工程と、続いて酸化シリコンを主成分とする第2の絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/90 K ,  H01L 21/90 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-319549   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-360533
  
• 薄膜形成装置および薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-329018   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置製造用気相反応装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-241388   出願人：富士通株式会社