特許
J-GLOBAL ID：200903068706648231
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-367017
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260872
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 壁面に堆積したタングステンを完全に除去することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置50は、半導体基板56の上部に絶縁膜54を介して第1金属配線52が設けてある。半導体基板56の上部全面に設けた層間絶縁膜55には、第1金属配線52の上部にコンタクトホール58とボンディングパッド60が形成してある。コンタクトホール58は垂直孔部からなり、その内部にタングステン67を埋め込み可能としている。一方ボンディングパッド60の壁面60Aは斜面が形成されている。このような構成を持つ半導体装置50では、CVD工程により壁面60Aに堆積したタングステン67をエッチバックで除去する際、壁面60Aにサイドウォールが形成されることがない。このためサイドウォールがはがれ、塵埃となるのを防止することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁層を介して設けた第1金属配線と、この第1金属配線を覆って前記半導体基板の上部全体に設けられた層間絶縁膜と、前記第1金属配線の上部の前記層間絶縁膜を貫通して設けられ、前記半導体基板の面にほぼ垂直な壁面を有するコンタクトホールと、このコンタクトホールに埋め込まれ前記第1金属配線との導通をなす導電性金属と、前記第1金属配線の上部の前記層間絶縁膜を貫通して設けられ、前記半導体基板の面に対して傾斜した壁面を有する前記コンタクトホールより大径な開口部と、前記導電性金属の上部と、前記開口部より露出する前記第1金属配線の上部に設けられ前記第1金属配線に導通する第2金属配線と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3065
H01L 21/90 A
, H01L 21/302 M
