特許
J-GLOBAL ID：200903068707505930
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-372196
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196198
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 量子ドットを有する半導体装置及びその製造方法に関し、量子ドットの発光波長を制御しうる半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも3元素を含む化合物半導体基板10と、化合物半導体基板10上に形成され、発光波長が化合物半導体基板10の格子定数によって規定された量子ドット14とにより構成する。
請求項（抜粋）：
少なくとも3元素を含む化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板上に形成され、発光波長が前記化合物半導体基板の格子定数によって規定された量子ドットとを有することを特徴とする半導体装置。
Fターム (6件)：
5F073AA13
, 5F073AA75
, 5F073CA07
, 5F073DA05
, 5F073DA35
, 5F073EA02
