特許
J-GLOBAL ID:200903068715505532

有機エレクトロルミネッセンスの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 八木田 茂 ,  浜野 孝雄 ,  森田 哲二 ,  平井 輝一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-177170
公開番号(公開出願番号):特開2004-022398
出願日: 2002年06月18日
公開日(公表日): 2004年01月22日
要約:
【課題】プラズマダメージを少なくできるスパッタリング法により保護膜を成膜して外部からの水分や酸素等の侵入を防止できる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法においては、二つのターゲットに交流を印加するスパッタリング法を用いて保護膜が形成される。また本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置は、上部に保護層を形成すべき有機エレクトロルミネッセンス素子の上面に対して30〜70度の角度を成して配置され、各々交流電力の印加される保護層構成材質の二つのターゲットを備えたスパッタリング装置を有する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
透明または半透明の基板上に、少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を備えた発光層と、電子を注入する陰極と、上部に設けられた保護層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、二つのターゲットに交流を印加するスパッタリング法を用いて上記保護膜を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (5件):
H05B33/10 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14
FI (5件):
H05B33/10 ,  C23C14/06 G ,  C23C14/34 R ,  H05B33/04 ,  H05B33/14 A
Fターム (12件):
3K007AB11 ,  3K007AB13 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA02 ,  4K029AA24 ,  4K029BA62 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC16
引用特許:
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る