特許
J-GLOBAL ID：200903068717130188

シリコン結晶化方法

発明者：
ヤン, ミョン ス

ヤン, ミョン ス について


出願人/特許権者：
エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド

エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド について


代理人 (1件)： 園田 吉隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-167971
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045803
出願日： 2002年06月07日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】透過領域の形状を新しい形態の透過領域を有するマスクと、前記マスクを通したレーザビームパターンを利用した結晶化方法を提案して、さらに速い時間に良質の結晶成長をなすことができるシリコン結晶化方法を提供する。【解決手段】シリコンの結晶化方法に係り、特にレーザビームパターンを利用した低温シリコン結晶化方法中シリコングレーンの側面成長を誘導する方法(SLS)に関する。レーザビームパターンを三角状で構成することを特徴とし、三角状のビームパターンを横方向に移動しながら結晶化を進めるようになれば速い時間に広い面積の結晶化をなすことが可能であり、結晶膜を構成するグレーンの成長長さもさらに拡大することができる。したがって、生産性が向上される効果がある。
請求項（抜粋）：
非晶質シリコン薄膜が形成された基板を準備する段階と;前記基板を固定手段に固定する段階と;前記基板の上部に、階段状の外形を有する三角状の透過領域が複数個並んだ透過領域と、遮断領域とから構成されたマスクを、配置する段階と;前記マスクにレーザビームを照射して、前記非晶質シリコン薄膜に前記マスクの透過領域を通して形状化されたレーザビームを照射する段階と;前記レーザビームが照射された領域が完全に溶解した後に結晶化し、グレーン領域と核生成領域が存在する三角状のの第1結晶領域を形成する第1結晶化段階と;前記マスクを横方向に所定の距離を移動させて、前記マスクの透過領域を通して形状化されたレーザビームパターンを照射し、前記第1結晶領域内の複数のグレーン領域に属するグレーンが前記核生成領域に成長して、横方向に新しいグレーン領域と核生成領域が形成される第2結晶化段階と;前記第2結晶化段階と同一の工程で基板の横方向に結晶化を連続で進める段階とを含むポリシリコン結晶化方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (2件)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G
Fターム (27件)：
5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA12 ,  5F052BA18 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052EA15 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ12 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP23 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35
引用特許：
審査官引用 (3件)

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