レーザ加工方法、液晶表示装置の製造方法、レーザ加工装置、半導体デバイスの製造方法、露光装置、ディスプレイ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-031908
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324759
出願日： 2002年02月08日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】高いスループットで、均一かつ大粒径の多結晶Si膜を生成する。【解決手段】第1乃至第4のマスク領域M1〜M4の相互間で互いに重なり合わない箇所で、かつその幅及びピッチがガラス基板1上に形成されたa-Si膜における光照射領域に熱勾配が生じる値、例えばa-Si膜上に照射される光照射領域のビーム幅がおよそ5μm以内でそのピッチMpが1μm以上となるように設定されたラインパターン19が形成されたマスク13を用い、エキシマレーザ10から出力されたパルスレーザ光をマスク13を通してガラス基板1上のa-Si膜に照射し、かつXYZチルトステージ20の動作によりガラス基板1を連続して移動させる。

請求項（抜粋）：

【請求項1】複数の開口部を備えるマスク越しにパルスレーザ光を照射することにより、前記マスクの開口部に対応して分割された複数のパルスレーザ光を被加工物に照射する第1工程と、前記マスクと前記被加工物とを相対的に移動させて、さらにパルスレーザ光を照射する第2工程とを少なくとも備えるレーザ加工方法であって、前記第1工程における前記照射領域と、前記第2工程における前記照射領域とは互いに隣接または一部が重複し、かつ、隣接または一部が重複する2つの照射領域を照射したパルスレーザ光が透過した前記開口部は、相異なる開口部となるように、前記マスクと前記被加工物とを相対的に移動させながらレーザ光の照射を行なうことを特徴とするレーザ加工方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 21/268 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 21/268 J , H01L 21/268 T , H01L 29/78 627 G

Fターム (33件)：

2H092GA59 , 2H092JA24 , 2H092JA28 , 2H092KA04 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092NA21 , 2H092NA24 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 5F052AA02 , 5F052BA01 , 5F052BA02 , 5F052BA04 , 5F052BA07 , 5F052BA12 , 5F052BA14 , 5F052BA18 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052CA10 , 5F052DA02 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110BB02 , 5F110DD02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP23

引用特許：

審査官引用 (7件)

基板上の半導体膜領域の結晶化処理及びこの方法により製造されたデバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-542270 出願人：ザトラスティースオブコロンビアユニヴァーシティインザシティオブニューヨーク
多結晶半導体薄膜の製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-217213 出願人：株式会社東芝
単一走査、連続動作の逐次的横方向結晶化を行う方法及びシステム
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-584375 出願人：ザトラスティーズオブコロンビアユニヴァーシティインザシティオブニューヨーク, エヌヴィーアイケイコーポレイション

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