スパッタリングターゲット

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上田章三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-088800
公開番号（公開出願番号）：特開平8-260134
出願日： 1995年03月22日
公開日（公表日）： 1996年10月08日
要約：

【要約】【目的】防湿性に優れた透明薄膜を効率的に成膜できしかもこの成膜時に上記銀系薄膜が損傷を受け難いスパッタリングターゲットを提供すること。【構成】このスパッタリングターゲットは酸化インジウムと酸化チタンとの混合物から成り、チタン元素の含有量はインジウム元素に対し20atom%である。このターゲットを使用してガラス基板10上に透明薄膜11、銀薄膜12及び透明薄膜13を成膜した。そしてこのスパッタリングターゲットは導電性を有するため直流スパッタリング法を適用でき、基板に含まれるプラスチック材料や銀薄膜12を損傷させることなく銀薄膜12上に透明薄膜13を高速度で効率的に成膜することが可能となり、また、成膜された透明薄膜13は可視領域の全体に亘って光透過率と防湿性とに極めて優れた特性を有している。

請求項（抜粋）：

透明薄膜をスパッタリング法で成膜する際に適用されるスパッタリングターゲットにおいて、銀との固溶域を実質的に持たない金属元素の酸化物を含有する導電性透明金属酸化物にて構成され、かつ、銀との固溶域を実質的に持たない上記金属元素の含有割合が導電性透明金属酸化物の金属元素に対し5〜40atom%(原子%)であることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (6件)：

C23C 14/34 , C23C 14/08 , H01B 13/00 503 , H01L 29/43 , C01F 17/00 , C01G 23/00

FI (7件)：

C23C 14/34 A , C23C 14/08 D , C23C 14/08 E , H01B 13/00 503 B , C01F 17/00 A , C01G 23/00 C , H01L 29/46 R

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-043911
特開平3-015106
特開平3-015107

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