特許

J-GLOBAL ID：200903068767969448

半導体装置及びその製造方法

発明者： 水梨 晴美
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-268728
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116937
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】 熱硬化性樹脂で封止した際の冷却時に発生する半導体装置の反りを抑え、実装時の電気的接続不良を未然に防ぐ。【解決手段】 まず、半導体チップ11と配線板12とを電気接続された状態で重ね、これら半導体チップ11及び配線板12を金型の上面側に装着すると共に、熱膨張率がモールド樹脂13のそれよりも小さい補強板14を金型の下面側に装着し、金型内に溶融状態の熱硬化性のモールド樹脂組成物を注入固化した後、脱型冷却して半導体装置1を得る。脱型冷却の際、補強板14により樹脂の反りが抑えられ、電気的接続不良が防止される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に集積回路が形成されてなる半導体チップの集積回路形成面に、前記集積回路と対応する所定の配線パターンを有する板状の配線チップが重ねられ、かつ、前記半導体チップの前記集積回路と前記配線チップの配線パターンとが相互に電気接続された状態で、前記半導体チップが熱硬化性の樹脂により樹脂封止されて構成される半導体装置において、前記樹脂の反りを防止するために、熱膨張率が前記樹脂のそれよりも小さい板状の補強部材が前記樹脂内又は樹脂表面に付加されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/04 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4件)：

H01L 23/28 F ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/04 E ,  H01L 23/30 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 樹脂封止型半導体装置、電子回路装置およびこの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-295223   出願人：株式会社東芝
• 樹脂封止パッケージおよび電子回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-253948   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭55-009420
  
• 特開平4-098855