特許
J-GLOBAL ID：200903068779922137
メッキ皮膜の蛍光X線分析方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-166054
公開番号（公開出願番号）：特開2005-003471
出願日： 2003年06月11日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】メッキ皮膜の蛍光X線分析方法において、電子部品の電極のように、肉厚の薄いメッキ皮膜であっても、組成の測定が行え、かつ、精度のよい測定が容易に行える。【解決手段】セラミック素体2上に厚膜電極3を形成し、厚膜電極3に、厚みDが2μm≦D≦25μmを満たすメッキ皮膜4,5を形成してなる電子部品におけるメッキ皮膜5の蛍光X線分析方法であって、メッキ皮膜5中の微量Pb含有量を、M線系列の蛍光X線にて測定することを特徴とするものである。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
金属基体表面に形成された厚みDが2μm≦D≦25μmを満たすメッキ皮膜中の微量Pb含有量を、M線系列のX線にて測定することを特徴とするメッキ皮膜の蛍光X線分析方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
2G001AA01
, 2G001BA04
, 2G001CA01
, 2G001GA06
, 2G001KA01
, 2G001KA09
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 2G001NA11
, 2G001NA17
