バンプの形成方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-267076
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076047
出願日： 2000年09月04日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】高い信頼性をもって、狭ピッチに適応したバンプの形成方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。【解決手段】本発明に係るバンプの形成方法は、パッド12上に貫通穴22を有するようにレジスト層20を形成し、貫通穴22の形状に合わせてパッド12と電気的に接続する金属層(バンプ34)を形成する工程を含み、金属層(バンプ34)を、ロウ材40を収容するための領域(凹部36)を有する形状に形成する。

請求項（抜粋）：

パッド上に貫通穴を有するようにレジスト層を形成し、前記貫通穴の形状に合わせて前記パッドと電気的に接続する金属層を形成する工程を含み、前記金属層を、ロウ材を収容するための領域を有する形状に形成するバンプの形成方法。

FI (5件)：

H01L 21/92 602 D , H01L 21/92 602 K , H01L 21/92 602 H , H01L 21/92 602 G , H01L 21/92 604 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-164161 出願人：三菱電機株式会社
特開平1-191451
電極の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-141431 出願人：セイコーエプソン株式会社

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