半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-269778
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106594
出願日： 1993年10月01日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】薄膜トランジスタにおいて、ソース/ドレイン領域に高抵抗不純物領域(HRD)を自己整合的に形成する方法を提供する。【構成】ゲイト電極上面にマスクを残し、最初に比較的低い電圧でポーラスな第1の陽極酸化膜をゲイト電極の側面に成長させる。必要に応じては比較的高い電圧でバリア型の第2の陽極酸化膜をゲイト電極の側面および上面に形成する。この工程では第2の陽極酸化膜は第1の陽極酸化膜の内側に形成される。そして、この陽極酸化膜をマスクとしてゲイト絶縁膜をエッチングする。その後、第1の陽極酸化膜を選択的にエッチングする。以上の工程によって、ゲイト電極の近くの領域ではゲイト絶縁膜が存在し、より遠い領域ではゲイト絶縁膜のない状態が得られる。この状態で、ゲイト電極部をマスクとして、炭素、窒素、酸素から選ばれた1つ以上の元素のイオンを適当な加速エネルギーを付与して照射する。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に形成された薄膜トランジスタにおいて、ゲイト電極と、ゲイト電極の下に存在するチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に隣接した1対の高抵抗不純物領域と、前記高抵抗領域の外側に設けられた1対の低抵抗不純物領域とを有し、かつ、酸素、窒素、炭素から選ばれた少なくとも1つの元素の濃度は、前記高抵抗不純物領域の方が、前記低抵抗不純物領域よりも高いことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P , H01L 29/78 311 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-159730
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-019538 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
MIS型電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-027750 出願人：富士通株式会社

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