特許
J-GLOBAL ID:200903068850947820

パタ-ン描画用デ-タ作成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡辺 勝 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-014382
公開番号(公開出願番号):特開2000-214574
出願日: 1999年01月22日
公開日(公表日): 2000年08月04日
要約:
【要約】【課題】 光露光用マスクに微細なパターンを精度良くかつスループットの低下なしに形成することができるパターン描画用データ作成方法を提供する。【解決手段】 電子線描画装置によって光露光装置の光露光用マスク上にパターンを形成するためのパターン描画用データの作成方法で、パターンの内側に解像限界の微細スペースを挿入あるいはパターンの外側に解像限界の微細ラインを配置した描画用データを用いることで、描画時の電子線量が変化し描画時のグリッド以下のパターンを描画することができる。
請求項(抜粋):
光露光装置で用いる光露光用マスクに所望のパターンを形成するためのパターン描画用データ作成方法であって、半導体装置の回路パターンを前記パターンとして形成するために所定のグリッド間隔を有する第1のグリッドを用いて所定の形状を有する第1のパターンを設計し、前記第1のグリッドを前記光露光装置の投影縮小率の逆数を拡大倍率として拡大した第2のグリッドに変換し、前記第1のパターンを前記光露光装置の投影縮小率の逆数を拡大倍率として拡大した第2のパターンに変換し、前記第2のグリッドを2倍に拡大して第3のグリッドに変換し、前記第3のグリッドの中間に位置する第2のパターンの辺を伸長もしくは縮小して前記第3のグリッドのグリッド線上に移動させて第3のパターンを形成し、前記第3のパターンの辺から前記第3のグリッドの1グリッド間隔分内側に所定の形状を有する微細スペースを挿入して第4のパターンを形成するパターン描画用データ作成方法。
IPC (2件):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2件):
G03F 1/08 D ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (3件):
2H095BA08 ,  2H095BB02 ,  2H095BB36
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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