特許

J-GLOBAL ID：200903068889982160

半導体装置及びその半導体装置に於ける半導体構造を用いた紫外発光素子及びそれらの製造方法

発明者： 河口 研一 ,  倉又 朗人
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-042702
公開番号（公開出願番号）：特開2005-235989
出願日： 2004年02月19日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：

【課題】 低転位で、クラックがなく、高品質を維持した大面積のAlGaN層を、そして、そのAlGaN層を用いた紫外発光素子を簡単且つ容易に実現しようとする。【解決手段】 Si基板11上に形成された非晶質または金属からなる1層以上の歪み緩和層12と、該歪み緩和層12の一部分を被覆して形成されて凹凸を生成するAlGaNとは異種の単結晶層、例えば、Si(111)半導体層13と、AlGaNとは異質の単結晶層を形成することで生成された凹凸を被覆して形成されたAlGaN(Al組成x:0≦x≦1)層14とを備えるAlGaN層を含む半導体構造、及び、その製造方法が基本になっている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に形成された非晶質または金属からなる1層以上の歪み緩和層と、 該歪み緩和層の一部分を被覆して形成されて凹凸を生成するAlGaNとは異種の単結晶層と、 該AlGaNとは異質の単結晶層を形成することで生成された凹凸を被覆して形成されたAlGaN(Al組成x:0≦x≦1)層と を備えてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01L21/205

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/205

Fターム (31件)：

5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA71 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CB11 ,  5F041FF11 ,  5F041FF12 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF03 ,  5F045BB11 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DB06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-353044   出願人：三菱電線工業株式会社
• 半導体基板の製造方法及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-098870   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所