特許
J-GLOBAL ID：200903018415910233
半導体基板の製造方法及び半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-098870
公開番号（公開出願番号）：特開2002-293698
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：
【要約】【課題】 Si基板上にクラックや多結晶塊等のない半導体単結晶を作る。【解決手段】 反応防止層は、Siと窒化ガリウム系の半導体との反応を防止するためのものであり、この様に下地基板(Si基板)上に窒化ガリウム系の半導体(半導体結晶A)よりも融点又は耐熱性が高い例えばSiCやAlN等より成る反応防止層(晶質材料B)を成膜することにより、窒化ガリウム系の半導体(半導体結晶A)を長時間結晶成長させる場合においても、シリコン界面付近にGaN多結晶塊などから成る「反応部」が形成されることが無くなる。また、突起部を多数形成することにより、窒化ガリウム系の半導体(半導体結晶A)は、突起部の平頂部を起点として横方向にも成長する。これにより、反応防止層と半導体結晶Aとの間の応力が大幅に緩和され、反応防止層にも縦方向の貫通クラックが生じないので、Si基板が確実に遮断でき、反応防止作用も確実になる。
請求項（抜粋）：
横方向結晶成長作用を利用して、シリコン(Si)より形成された下地基板上に III族窒化物系化合物半導体から成る半導体結晶Aを成長させることにより、半導体基板を得る方法であって、前記下地基板上に、前記半導体結晶Aよりも融点又は耐熱性が高い晶質材料Bより成る反応防止層を成膜する反応防止工程と、化学的又は物理的なエッチングにより、前記反応防止層が成膜された側の片面に前記下地基板を露出させずに前記反応防止層から多数の突起部を形成する突起部形成工程と、前記突起部の表面の少なくとも一部を前記半導体結晶Aが結晶成長を開始する最初の成長面とし、この成長面が各々互いに連結されて少なくとも一連の略平面に成長するまで、前記半導体結晶Aを結晶成長させる結晶成長工程とを有することを特徴とする半導体結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/38 D
, H01L 21/205
4G077AA03
, 4G077BE11
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077ED06
, 4G077EE01
, 4G077EE06
, 4G077EF03
, 4G077FJ03
, 4G077TK08
, 4G077TK11
, 5F045AA04
, 5F045AA05
, 5F045AB06
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB18
, 5F045AB38
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AC18
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AF03
, 5F045BB12
, 5F045BB13
, 5F045DA53
