特許

J-GLOBAL ID：200903068901997194

半導体光デバイス、半導体発光素子および半導体変調素子

発明者： 生駒 暢之 ,  山田 隆史 ,  猪口 康博 ,  高岸 成典
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-276180
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111881
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】ガリウム、インジウム、窒素、砒素及びアンチモンを含みより優れた結晶性を有するIII-V族化合物半導体層を含む半導体光デバイスを提供する。【解決手段】半導体発光素子1は、GaAs半導体基板3の主面3a上に設けられている半導体積層部5を備える。半導体積層部5は、第1のIII-V族化合物半導体層7と、第2のIII-V族化合物半導体層9とを備える。第1のIII-V族化合物半導体層7は、ガリウム、砒素及びアンチモンを含む。第2のIII-V族化合物半導体層9は、ガリウム、インジウム、窒素、砒素及びアンチモンを含む。第1のIII-V族化合物半導体層7は、GaAs半導体基板3上に設けられている。第2のIII-V族化合物半導体層9は、第1のIII-V族化合物半導体層7上に設けられている。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

GaAs半導体基板上に設けられ、ガリウム、砒素及びアンチモンを含む第1のIII-V族化合物半導体層と、 前記第1のIII-V族化合物半導体層上に設けられ、ガリウム、インジウム、窒素、砒素及びアンチモンを含む第2のIII-V族化合物半導体層と を備える、半導体光デバイス。

IPC (3件)：

H01S5/343 ,  H01S5/20 ,  H01S5/323

FI (3件)：

H01S5/343 610 ,  H01S5/20 610 ,  H01S5/323 610

Fターム (8件)：

5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA73 ,  5F073AA76 ,  5F073AA77 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体光変調器および半導体発光装置および波長可変レーザ装置および多波長レーザ装置および光伝送システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-044303   出願人：株式会社リコー

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "GaInNAsSb for 1.3-1.6um-Long Wavelength Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy"