特許
J-GLOBAL ID：200903043564630434

半導体光変調器および半導体発光装置および波長可変レーザ装置および多波長レーザ装置および光伝送システム

発明者：
高橋 孝志

高橋 孝志 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-044303
公開番号（公開出願番号）：特開2003-202529
出願日： 2002年02月21日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】 高温でも光変調のS/N比が高く、かつ10GHz以上の高速変調が可能な電界吸収型の半導体光変調器を提供する。【解決手段】 この半導体光変調器は、n型GaAs基板101上に、n型Al0.4Ga0.6Asクラッド層102、GaAs下部光導波層103、多重量子井戸構造301、GaAs上部光導波層105、p型Al0.4Ga0.6As第1クラッド層302、p型AlAs層303、p型Al0.4Ga0.6As第2クラッド層108、p型GaAsキャップ層109が順次に積層されている。ここで、多重量子井戸構造301は、GaInNAsを井戸層とし、GaInPを障壁層として、例えば3周期積層して構成されている。
請求項（抜粋）：
多重量子井戸構造を光吸収層とし、多重量子井戸構造に電界を印加するp側電極及びn側電極を備えた電界吸収型の半導体光変調器において、多重量子井戸構造は、GaNAs,GaInNAs,GaNAsSb,GaInNAsSbのいずれかの材料で構成された量子井戸層と、GaAs,GaInP,GaInAsPのいずれかの材料で構成された障壁層で構成されていることを特徴とする半導体光変調器。
IPC (6件)：
G02F 1/017 501 ,  G02F 1/017 503 ,  G02F 1/017 506 ,  H01S 5/026 616 ,  H01S 5/183 ,  H01S 5/343 610
FI (6件)：
G02F 1/017 501 ,  G02F 1/017 503 ,  G02F 1/017 506 ,  H01S 5/026 616 ,  H01S 5/183 ,  H01S 5/343 610
Fターム (24件)：
2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079HA15 ,  2H079KA18 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA64 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB06 ,  5F073AB17 ,  5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073EA04 ,  5F073EA14 ,  5F073EA27
引用特許：
審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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