特許
J-GLOBAL ID:200903068915194310
インバータ装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (6件):
角田 嘉宏
, 古川 安航
, 西谷 俊男
, 幅 慶司
, 内山 泉
, 是枝 洋介
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-225102
公開番号(公開出願番号):特開2006-049402
出願日: 2004年08月02日
公開日(公表日): 2006年02月16日
要約:
【課題】 超低損失で、小型で、しかも高温環境でも動作可能な炭化珪素半導体インバータ装置を提供する。【解決手段】 電力用パワーデバイスの第1横型MOSFET1と第2横型MOSFET2とが共通の炭化珪素基板100上に素子分離領域18によって電気的に絶縁されて形成され、第1横型MOSFET1のドレイン電極16と第2横型MOSFET2のソース電極15とが炭化珪素基板100上で電気的に接続されており、横型MOSFET1、2の制御回路21を構成する素子も同一炭化珪素基板100上に素子分離領域22によって横型MOSFET1、2とは電気的に絶縁されて形成されている。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
直流電圧が印加される一対の入力端子間に直列接続され、その接続部の電圧が出力端子へ出力されるハイサイドおよびローサイドのスイッチング素子を備えたインバータ装置であって、
前記ハイサイドおよびローサイドのスイッチング素子は、同一の基板上に形成された炭化珪素半導体からなる半導体領域を共有し、かつ、それぞれ、前記半導体領域上に形成された正側電極および負側電極と制御電極とを有しているインバータ装置。
IPC (6件):
H01L 21/823
, H01L 27/088
, H01L 27/08
, H02M 1/00
, H02M 7/538
, H01L 27/092
FI (5件):
H01L27/08 102B
, H01L27/08 331E
, H02M1/00 R
, H02M7/5387 Z
, H01L27/08 321A
Fターム (37件):
5F048AB04
, 5F048AC03
, 5F048AC04
, 5F048AC06
, 5F048BA02
, 5F048BA06
, 5F048BA10
, 5F048BA14
, 5F048BB05
, 5F048BC03
, 5F048BD04
, 5F048BD09
, 5F048BE02
, 5F048BE03
, 5F048BE09
, 5F048BF07
, 5F048BF16
, 5F048BG05
, 5F048BH07
, 5F048DA09
, 5H007AA06
, 5H007CA00
, 5H007CA02
, 5H007CB04
, 5H007CB05
, 5H007CC07
, 5H007CC23
, 5H007HA03
, 5H007HA04
, 5H740BA00
, 5H740BA12
, 5H740BA15
, 5H740BB05
, 5H740BB09
, 5H740BB10
, 5H740MM08
, 5H740PP02
引用特許:
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