特許
J-GLOBAL ID：200903068916763130

光電変換デバイス、イメージセンサおよび光電変換デバイスの製造方法

発明者：
関口 勇士

関口 勇士 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-138723
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322739
出願日： 2004年05月07日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】製造コストを低減できる光電変換デバイスを提供する。 【解決手段】この光電変換デバイス1は、p型のシリコン基板2上に積層されたp-型の光電変換層4を備えている。光電変換層4は、素子分離領域5により、第1光電変換領域6、第2光電変換領域7および第3光電変換領域8に分離されている。第1ないし第3光電変換領域6,7,8内には、光電変換層4の表面からそれぞれ所定深さの位置に、n+型の第1ないし第3分割領域9,10,11が形成されている。第1分割領域9と第2分割領域10とは、ほぼ同じ深さに形成されており、第3分割領域11は、第1および第2分割領域9,10より浅い位置に形成されている。第1分割領域9には、連通孔9aが形成されている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板上に積層された第1導電型の光電変換層と、 この光電変換層内に形成され、当該光電変換層を上記半導体基板に沿って第1光電変換領域、第2光電変換領域および第3光電変換領域に分離する第2導電型の素子分離領域と、 上記第1光電変換領域内において、上記光電変換層の表面から所定深さの位置に形成され、当該第1光電変換領域を表層側の第1表層側領域と上記半導体基板側の第1基板側領域とに分割しており、上記第1表層側領域と上記第1基板側領域とを連通する連通孔を有する第2導電型の第1分割領域と、 上記第2光電変換領域内において、上記第1分割領域とほぼ同じ深さの位置または上記第1分割領域よりも浅い位置に形成され、当該第2光電変換領域を表層側の第2表層側領域と上記半導体基板側の第2基板側領域とに分割する第2導電型の第2分割領域と、 上記第3光電変換領域内において、上記第2分割領域よりも浅い位置に形成され、当該第3光電変換領域を表層側の第3表層側領域と上記半導体基板側の第3基板側領域とに分割する第2導電型の第3分割領域とを含むことを特徴とする光電変換デバイス。
IPC (1件)：
H01L27/146
FI (1件)：
H01L27/14 A
Fターム (11件)：
4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA25 ,  4M118CA27 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM