特許
J-GLOBAL ID:200903068919912307

多層基板モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田澤 博昭 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-137599
公開番号(公開出願番号):特開2001-320170
出願日: 2000年05月10日
公開日(公表日): 2001年11月16日
要約:
【要約】【課題】 従来の多層基板モジュールでは、アンプおよび整合回路のグランド用スルーホールが共通に接続される共通グランド層と接地面との間でインダクタンス成分が生じて、回路が発振する可能性があるという課題があった。【解決手段】 多層基板モジュールにおいて、多層基板1と、多層基板1の表面に設けられるアンプを備えた半導体基板4および整合回路5,6と、接地面11と、アンプのグランド用導線と接地面11とを接続するグランド用スルーホール13と、整合回路毎に形成されて当該整合回路のグランド用導線と接地面11とをそれぞれ接続するグランド用スルーホール12,14とを備える。
請求項(抜粋):
多層基板と、該多層基板の表面に設けられる、アンプを有する半導体基板および1または複数の整合回路と、前記多層基板の裏面に金属層で形成された接地面と、前記アンプから延びるグランド用導線と前記接地面とを接続するグランド用スルーホールと、前記1または複数の整合回路毎に形成されて、該整合回路から延びるグランド用導線と前記接地面とをそれぞれ接続するグランド用スルーホールとを備えることを特徴とする多層基板モジュール。
IPC (4件):
H05K 3/46 ,  H01P 3/08 ,  H03F 3/60 ,  H05K 1/11
FI (4件):
H05K 3/46 N ,  H01P 3/08 ,  H03F 3/60 ,  H05K 1/11 H
Fターム (24件):
5E317AA21 ,  5E317AA24 ,  5E317CD27 ,  5E317GG11 ,  5E346AA41 ,  5E346BB04 ,  5E346FF45 ,  5E346HH02 ,  5E346HH06 ,  5J014CA00 ,  5J067AA04 ,  5J067AA41 ,  5J067CA54 ,  5J067FA16 ,  5J067HA01 ,  5J067KA29 ,  5J067KA59 ,  5J067KA66 ,  5J067KA68 ,  5J067KS11 ,  5J067LS12 ,  5J067QA04 ,  5J067QS05 ,  5J067QS11
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-316118   出願人:株式会社東芝
  • マイクロ波集積回路素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-270469   出願人:松下電子工業株式会社

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