特許
J-GLOBAL ID：200903068934437445
単結晶炭化ケイ素成長方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
梶 良之
, 須原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-360474
公開番号（公開出願番号）：特開2005-126248
出願日： 2003年10月21日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】成長時に単結晶SiCの膜厚を制御することにより、マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少なく平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶SiCを提供する。【解決手段】 単結晶SiC基板5と、該基板上に重ねて配置される炭素原子を供給するためのC原子供給基板17と、前記単結晶SiC基板5とC原子供給基板17とを収納する密閉容器を加熱処理することにより、前記単結晶SiC基板5と前記C原子供給基板17との間に金属Si融液層18を介在させ、単結晶SiC基板5上に単結晶SiCを液相エピタキシャル成長させる。金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μm以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。あるいは、単結晶SiC基板5とC原子供給基板17との間に、所定厚みのスペーサ19を設置することによっても、金属Si融液層18の厚みを制御することができる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
種結晶となる単結晶炭化ケイ素基板と、
前記単結晶炭化ケイ素基板上に重ねて配置される炭素原子を供給するための炭素原子供給基板と、
前記単結晶炭化ケイ素基板と前記炭素原子供給基板とを収納する密閉容器とを加熱室に配置し、
前記加熱室を真空若しくは真空にした後に不活性ガスが導入された希薄ガス雰囲気に保ち、
約1400°C以上の所定の温度で所定の時間加熱処理を行うことによって、前記単結晶炭化ケイ素基板と前記炭素原子供給基板との間に金属シリコン融液層を介在させて、
前記種結晶となる単結晶炭化ケイ素基板上に高純度でマイクロパイプ欠点の少ない、平坦度の高い単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる単結晶炭化ケイ素の成長方法であって、
金属シリコン融液層のシリコン材料供給源として前記単結晶炭化ケイ素基板上に厚さ50以上200μm以下程度の金属シリコン膜を気相法で形成させるか、
又は、前記単結晶炭化ケイ素基板上に厚さ50以上200μm以下程度の金属シリコン板を重ね、
その上に前記炭素原子供給基板を重ねて前記加熱処理を行うことによって金属シリコンが溶融して前記単結晶炭化ケイ素基板と前記炭素原子供給基板との間に金属シリコン融液層を介在させる単結晶炭化ケイ素の成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077CG01
, 4G077CG07
, 4G077EA08
, 4G077EC02
, 4G077EC03
, 4G077EG08
, 4G077EG25
, 4G077EG26
, 4G077EH01
, 4G077QA01
, 4G077QA12
, 4G077QA34
, 4G077QA42
, 4G077QA52
, 4G077QA58
