特許
J-GLOBAL ID：200903068944944868
半導体レーザおよび光ディスク装置
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-127225
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330612
出願日： 1998年05月11日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 光ディスク装置の光源に用いた場合に戻り光雑音を極めて少なくすることができる半導体レーザおよびこの半導体レーザを光源に用いた光ディスク装置を提供する。【解決手段】 活性層をn側クラッド層とp側クラッド層とによりはさんだ構造を有する半導体レーザにおいて、p側クラッド層のうち活性層との界面から100nm以内の所定距離離れた部分にZnなどのp型不純物を1×1018 cm-3 以上ドーピング飽和濃度以下の濃度にドープし、p側クラッド層のうち活性層との界面からその所定距離未満の部分はアンドープとする。n側クラッド層についても同様にするが、このときのSeなどのn型不純物の濃度は5×1017 cm-3 以上ドーピング飽和濃度以下にする。これに加えて、活性層を井戸層の数が少なくとも5以上の多重量子井戸構造とする。
請求項（抜粋）：
活性層をn側クラッド層とp側クラッド層とによりはさんだ構造を有する半導体レーザにおいて、上記p側クラッド層のうちの上記p側クラッド層と上記活性層との界面から100nm以内の所定距離以上離れた部分にp型不純物が1×1018 cm-3 以上ドーピング飽和濃度以下の濃度にドープされているとともに、上記p側クラッド層のうちの上記p側クラッド層と上記活性層との界面から上記所定距離未満の部分にはp型不純物がドープされておらず、かつ、上記活性層は井戸層の数が少なくとも5以上の多重量子井戸構造を有することを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
Copyright (c) 2009 Japan Science and Technology Agency. All Rights Reserved