特許
J-GLOBAL ID：200903068948737204

ホトマスク及び半導体装置の製造方法

発明者：
大越 健

大越 健 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-287717
公開番号（公開出願番号）：特開平9-127676
出願日： 1995年11月06日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】半導体装置の微細加工に関し、特にリソグラフィ工程の光露光に関する。光近接効果補正の手法を用いたホトマスクにおいて、ホトマスクの異物欠陥検査を行う際、誤検出されないパターン配置のホトマスクを提供すること。【解決手段】光近接効果補正のための補助パターンに透過材料を用いる。ホトマスクのクロムパターン11の端部に露光波長に対して位相を変化させる効果のある透明膜13を配置する。あるいは前記光近接効果補正のための補助パターンを前記ホトマスクの基板を掘ることにより形成する。【効果】ホトマスクの異物欠陥検査の際に補助パターンが誤検出されることはなく、高精度な検査が可能である。更に前記ホトマスクを用いることにより、半導体装置製造の過程において、設計マージン、プロセス上もプロセスマージンが確保でき、半導体装置製造の歩留まり向上等に寄与する。
請求項（抜粋）：
光近接効果補正の手法を用いたホトマスクにおいて、前記光近接効果補正のための補助パターンに透過材料を用いることを特徴とするホトマスク。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
引用特許：
審査官引用 (2件)

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