特許
J-GLOBAL ID:200903068954062600

半導体ウエア研磨装置及び方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萩野 平 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-338943
公開番号(公開出願番号):特開平10-180617
出願日: 1997年12月09日
公開日(公表日): 1998年07月07日
要約:
【要約】【課題】 ウエハの表面の高度の均等性と並行性を達成し、前処理によって破損した表面層を除去し、さらに、半導体ウエハの微小粗さを減少させること。【解決手段】 本発明は、支持板の表面に搭載されて研磨布で覆われた研磨板に対してその一側面が特定の研磨圧で圧接研磨される半導体ウエハの研磨方法において、a)該半導体ウエハの研磨に先立ち複数の圧力チャンバの内の少なくとも1つにある特定の圧力が印加され、b)該半導体ウエハの該研磨中に、該研磨圧が、圧力が印加された該圧力チャンバの弾性支持表面を介して該支持板の裏面に伝達される、ことを特徴とする方法に関する。
請求項(抜粋):
支持板の表面に実装されて研磨布で覆われた研磨板に対してその一側面が特定の研磨圧で圧接研磨される半導体ウエハの研磨方法において、a)前記半導体ウエハの研磨に先立ち複数の圧力チャンバの内の少なくとも1つにある特定の圧力が印加され、b)前記半導体ウエハの研磨中に、研磨圧が、圧力が印加された該圧力チャンバの弾性支持表面を介して該支持板の裏面に伝達される、ことを特徴とする方法。
IPC (4件):
B24B 37/00 ,  B24B 37/04 ,  B24B 41/06 ,  B25J 15/06
FI (4件):
B24B 37/00 B ,  B24B 37/04 E ,  B24B 41/06 L ,  B25J 15/06 D
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 半導体製造装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-270654   出願人:株式会社東芝
  • 研磨装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-004830   出願人:新日本製鐵株式会社

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