半導体センサの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-280076
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129897
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】比較的手間のかかる埋込層形成並びにエピタキシャル成長の工程を省き、半導体センサの製造工程の簡略化が可能な半導体センサの製造方法を提供する。【解決手段】 p形シリコン基板11の梁部に第2のn形ウェル領域2を形成し、その固定部に第2のn形ウェル領域よりも深い第1のn形ウェル領域1を形成し、裏面から異方性エッチ液でエレクトロケミカル・エッチングをして、梁部12のフレーム部14への接続部に湾曲した遷移領域を設けたような梁構造体を形成する構成としたことにより、比較的手間のかかる埋込層形成並びにエピタキシャル成長の工程を省き、半導体センサの製造工程を簡略化し、その製造コストを低減できるという効果が得られる。

請求項（抜粋）：

p形シリコン基板表面の所定領域に第1のn形ウェル状拡散領域を形成する工程と、該p形シリコン基板表面の他の所定領域に拡散深さが該第1のn形ウェル状拡散領域よりも浅い第2のn形ウェル状拡散領域を形成する工程と、該第2のn形ウェル状拡散領域の中にp形拡散により応力検出用のピエゾ抵抗を形成する工程と、該p形シリコン基板の裏面に選択的に耐エッチング用マスク層を形成する工程と、該第1及び第2のn形ウェル状拡散領域に正の電圧を印加しながら異方性エッチング液を用いて該p形シリコン基板を裏面からエッチングするエレクトロケミカル・エッチング(ECE)を用いて、該第2のn形ウェル状拡散領域に対応した肉薄の起歪部と、該肉薄の起歪部を肉厚のフレーム部に滑らかに接続するための該第1のn形ウェル状拡散領域に対応した接続部を有するような構造体を形成する工程とを有することを特徴とする半導体センサの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/84 , G01P 15/12 , H01L 21/3063

FI (3件)：

H01L 29/84 B , G01P 15/12 , H01L 21/306 L

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-156978
半導体加速度センサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-077830 出願人：日産自動車株式会社
特開平2-137273

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