特許
J-GLOBAL ID：200903068974710624
インジウム-ゲルマニウム系蒸着ターゲット及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小谷 悦司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-304251
公開番号（公開出願番号）：特開2000-129431
出願日： 1998年10月26日
公開日（公表日）： 2000年05月09日
要約：
【要約】【課題】 スパッタリング成膜中に異常放電(アーキング)が発生せず、良好な膜特性を付与する蒸着ターゲットを提供すること及び該蒸着ターゲットを効率的に製造する方法を提供すること。【解決手段】 インジウム-ゲルマニウム系蒸着ターゲットにおいて、該ゲルマニウムの含有量をゲルマニウム量とインジウム量の合計量に対して2〜12原子%の範囲とし、インジウム-ゲルマニウム複合酸化物相の平均結晶粒径を30ミクロン以下とする。またインジウム-ゲルマニウム系蒸着ターゲットの製造方法において、ゲルマニウムとインジウムとをゲルマニウムが両元素の合計量に対して2〜12原子%の範囲となるよう混合・撹拌して混合物を製造し、該混合物を900〜1400°Cの温度範囲で焼結する。
請求項（抜粋）：
インジウム-ゲルマニウム系蒸着ターゲットであって、該ゲルマニウムの含有量が、ゲルマニウム量とインジウム量の合計量に対して2〜12原子%の範囲であり、インジウム-ゲルマニウム複合酸化物相の平均結晶粒径が30ミクロン以下であることを特徴とするインジウム-ゲルマニウム系蒸着ターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 A
, C04B 35/64 Z
4K029BA50
, 4K029BC09
, 4K029DC00
, 4K029DC05
, 4K029DC12
, 4K029DC39
