特許

J-GLOBAL ID：200903068983826082

スルホニウム塩の繰り返し単位を含有する高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 橘 誠一郎 ,  畠山 潤 ,  大澤 洋一 ,  大橋 正樹
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-056093
公開番号（公開出願番号）：特開2009-242789
出願日： 2009年03月10日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：

【解決手段】一般式(1)で示されるスルホニウム塩を含有する高分子化合物。【効果】上記繰り返し単位を含有する高分子化合物を感放射線レジスト材料のベース樹脂として用いた場合、高い解像性能を発揮し、パターンのLERが小さく仕上がる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩の繰り返し単位を含有することを特徴とする高分子化合物。

IPC (6件)：

C08F 20/38 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

C08F20/38 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/004 504 ,  G03F7/11 501 ,  G03F7/38 501 ,  H01L21/30 502R

Fターム (98件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF15 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025DA03 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096CA06 ,  2H096DA10 ,  2H096EA02 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096GA09 ,  4J100AB01Q ,  4J100AB01R ,  4J100AB02Q ,  4J100AB02R ,  4J100AJ02R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL26P ,  4J100AL26Q ,  4J100AL26R ,  4J100AR09R ,  4J100AR10R ,  4J100AR31R ,  4J100AR33R ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03R ,  4J100BA04P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA05P ,  4J100BA05Q ,  4J100BA06Q ,  4J100BA07R ,  4J100BA11P ,  4J100BA11R ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA20R ,  4J100BA51R ,  4J100BA55P ,  4J100BB07P ,  4J100BB07Q ,  4J100BB07R ,  4J100BB10R ,  4J100BB12P ,  4J100BB17R ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BB18R ,  4J100BC02Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC07R ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC12Q ,  4J100BC21Q ,  4J100BC22Q ,  4J100BC23Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC43Q ,  4J100BC43R ,  4J100BC48P ,  4J100BC49P ,  4J100BC49Q ,  4J100BC49R ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA61 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-093303   出願人：信越化学工業株式会社
• レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-237801   出願人：信越化学工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-079363   出願人：富士写真フイルム株式会社
• レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-064395   出願人：信越化学工業株式会社
• ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-151592   出願人：信越化学工業株式会社