特許
J-GLOBAL ID:200903071797675172
新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-093303
公開番号(公開出願番号):特開2007-145797
出願日: 2006年03月30日
公開日(公表日): 2007年06月14日
要約:
【解決手段】式(1)で示されるスルホン酸塩。CF3-CH(OCOR)-CF2SO3-M+ (1) (Rは置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜14のアリール基を示す。M+はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオン)【効果】本発明のスルホン酸は、分子内にエステル部位を有しているため、嵩の低いアシル基から嵩高いアシル基、ベンゾイル基、ナフトイル基、アントライル基等の導入が容易であり、分子設計の幅を大きく持つことができる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示されるスルホン酸塩。
CF3-CH(OCOR)-CF2SO3-M+ (1)
IPC (14件):
C07C 309/12
, G03F 7/004
, G03F 7/039
, G03F 7/075
, H01L 21/027
, C07C 381/12
, C07C 25/00
, C07C 309/68
, C07D 333/46
, C07D 207/46
, C07D 209/76
, C07D 221/14
, C07D 491/18
, C07D 209/48
FI (16件):
C07C309/12
, G03F7/004 503A
, G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, G03F7/075 511
, H01L21/30 502R
, H01L21/30 515D
, C07C381/12
, C07C25/00
, C07C309/68
, C07D333/46
, C07D207/46
, C07D209/76
, C07D221/14
, C07D491/18
, C07D209/48
Fターム (48件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB10
, 2H025CB13
, 2H025CB14
, 2H025CB33
, 2H025CB41
, 2H025CC03
, 2H025CC20
, 2H025FA03
, 4C034CG02
, 4C034CG10
, 4C050AA03
, 4C050BB04
, 4C050CC16
, 4C050DD07
, 4C050EE01
, 4C050FF01
, 4C050GG03
, 4C050HH01
, 4C069AC36
, 4C069BC10
, 4C204BB05
, 4C204BB09
, 4C204BB10
, 4C204CB04
, 4C204CB19
, 4C204DB30
, 4C204EB03
, 4C204FB33
, 4C204GB01
, 4H006AA01
, 4H006AA03
, 4H006AB76
, 4H006AB81
, 5F046AA28
, 5F046CA04
, 5F046DA07
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)