特許
J-GLOBAL ID:200903071797675172

新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-093303
公開番号(公開出願番号):特開2007-145797
出願日: 2006年03月30日
公開日(公表日): 2007年06月14日
要約:
【解決手段】式(1)で示されるスルホン酸塩。CF3-CH(OCOR)-CF2SO3-M+ (1) (Rは置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜14のアリール基を示す。M+はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオン)【効果】本発明のスルホン酸は、分子内にエステル部位を有しているため、嵩の低いアシル基から嵩高いアシル基、ベンゾイル基、ナフトイル基、アントライル基等の導入が容易であり、分子設計の幅を大きく持つことができる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示されるスルホン酸塩。 CF3-CH(OCOR)-CF2SO3-M+ (1)
IPC (14件):
C07C 309/12 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/075 ,  H01L 21/027 ,  C07C 381/12 ,  C07C 25/00 ,  C07C 309/68 ,  C07D 333/46 ,  C07D 207/46 ,  C07D 209/76 ,  C07D 221/14 ,  C07D 491/18 ,  C07D 209/48
FI (16件):
C07C309/12 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/075 511 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 515D ,  C07C381/12 ,  C07C25/00 ,  C07C309/68 ,  C07D333/46 ,  C07D207/46 ,  C07D209/76 ,  C07D221/14 ,  C07D491/18 ,  C07D209/48
Fターム (48件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB33 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  4C034CG02 ,  4C034CG10 ,  4C050AA03 ,  4C050BB04 ,  4C050CC16 ,  4C050DD07 ,  4C050EE01 ,  4C050FF01 ,  4C050GG03 ,  4C050HH01 ,  4C069AC36 ,  4C069BC10 ,  4C204BB05 ,  4C204BB09 ,  4C204BB10 ,  4C204CB04 ,  4C204CB19 ,  4C204DB30 ,  4C204EB03 ,  4C204FB33 ,  4C204GB01 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB76 ,  4H006AB81 ,  5F046AA28 ,  5F046CA04 ,  5F046DA07
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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