特許

J-GLOBAL ID：200903068986378196

リソグラフィによる表面または薄層の改変

発明者： ビーブイク、ハンス アンドレ ,  ミヒェル、ブルーノ
出願人/特許権者： インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-508255
公開番号（公開出願番号）：特表平9-511711
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1997年11月25日
要約：

【要約】基板層にリソグラフィ・フィーチャを生成するためのプロセスであって、基板(10)上に反応物を帯びたスタンプ(15)をおろすステップと、後続の反応を所望のパターンに制限するステップと、前記スタンプを持ち上げるステップと、基板から反応の残骸を除去するステップとを含むプロセスを記述する。スタンプは、エッチングすべきパターンまたはこのようなパターンに対応するくぼみを帯びていることが好ましい。上記の方法を使用すると、ミクロン未満のフィーチャを備えたパターンを生成することができる。この方法により、様々な技術分野での材料の並列処理および移転にとって一般的な解決策が可能になる。

請求項（抜粋）：

1つの反応によって基板(10;20;30;40)の表面を改変する方法において、 少なくとも1つの前記反応に関与するもの(14;24;34;44)を、変形可能材料(152;252;352;452)を含むスタンプ(15;25;35;45)に塗布するステップと、 前記スタンプを前記基板に共形接触させるステップと、 その反応を事前に定義されたリソグラフィ・パターンに制限するステップとを含むことを特徴とする方法。

IPC (3件)：

B41K 1/02 ,  G03F 7/00 501 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

B41K 1/02 D ,  B41K 1/02 B ,  G03F 7/00 501 ,  H01L 21/306 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-343463   出願人：大日本印刷株式会社
• 特開昭59-185777
  
• 印刷方法および印刷装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-312083   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜パターン製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-270458   出願人：株式会社日立製作所