特許

J-GLOBAL ID：200903068990314003

シリコンナノ結晶構造体の作製方法

発明者： 熊谷 晃
出願人/特許権者： キヤノンアネルバ株式会社
代理人 (1件)： 中西 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-373493
公開番号（公開出願番号）：特開2006-176859
出願日： 2004年12月24日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：

【課題】 本発明は、表面に欠陥が少なく安定性の高い絶縁層を有するとともに、結晶性に優れたシリコンナノ結晶粒を形成することができ、しかも結晶の粒径制御性、充填密度に優れ、かつドライプロセスのみで生産性よく形成可能なシリコンナノ結晶構造体の作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板を所定の温度に加熱して、シリコン元素を含む原料ガスの熱分解反応により粒径10nm以下のシリコンナノ結晶粒を成長させる第一の工程と、前記シリコンナノ結晶粒の表面を酸化又は窒化する第二の工程と、前記シリコンナノ結晶粒の成長温度よりも高温で熱処理する第三の工程とを所定の厚さの薄膜となるまで繰り返し行うことを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板を所定の温度に加熱して、シリコン元素を含む原料ガスの熱分解反応により粒径10nm以下のシリコンナノ結晶粒を成長させる第一の工程と、前記シリコンナノ結晶粒の表面を酸化又は窒化する第二の工程と、前記シリコンナノ結晶粒の成長温度よりも高温で熱処理する第三の工程とを、所定の厚さの薄膜となるまで繰り返し行うことを特徴とするシリコンナノ結晶構造体の作製方法。

IPC (5件)：

C23C 16/24 ,  B82B 3/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/06

FI (5件)：

C23C16/24 ,  B82B3/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/316 S ,  H01L29/06 601N

Fターム (29件)：

4H001CA04 ,  4H001XA08 ,  4H001XA14 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AD09 ,  5F045AE19 ,  5F045BB01 ,  5F045BB18 ,  5F045HA11 ,  5F045HA22 ,  5F058BA02 ,  5F058BA06 ,  5F058BC02 ,  5F058BF73 ,  5F058BH03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電界放射型電子源の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-122330   出願人：松下電工株式会社
• シリコンと窒素を主成分とする発光材料及びその製造方法並びにこれを用いた発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-077188   出願人：三菱マテリアル株式会社