特許

J-GLOBAL ID：200903085229644131

電界放射型電子源の製造方法

発明者： 本多 由明 ,  相澤 浩一 ,  菰田 卓哉 ,  櫟原 勉 ,  渡部 祥文 ,  幡井 崇 ,  馬場 徹
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-122330
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086093
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】低コスト化を図れ電子放出効率および信頼性を向上できる電界放射型電子源の製造方法を提供する。【解決手段】導電性基板の一部を構成する導電性層12上に多結晶シリコンからなる層状の半導体層たる多結晶シリコン層3を形成した後、多結晶シリコン層3を不活性ガス中でアニールする。アニール後の多結晶シリコン層3’が多結晶半導体層を構成し、陽極酸化処理にて多結晶シリコン層3’の一部を多孔質化して多孔質多結晶シリコン層4を形成する。その後、多孔質多結晶シリコン層4を電気化学的に酸化することで強電界ドリフト層6を形成する。次に、強電界ドリフト層6上に表面電極7を形成する。

請求項（抜粋）：

導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成された酸化した多孔質多結晶半導体層よりなる強電界ドリフト層と、該強電界ドリフト層上に形成された表面電極とを備え、表面電極を導電性基板に対して正極として電圧を印加することにより導電性基板から注入された電子が強電界ドリフト層をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源の製造方法であって、導電性基板の一表面側に多結晶半導体若しくは微結晶半導体からなる層状の半導体層を形成する工程と、前記半導体層をアニールすることにより多結晶半導体層を形成する工程と、陽極酸化処理にて多結晶半導体層の少なくとも一部を多孔質化することにより多孔質多結晶半導体層を形成する工程と、多孔質多結晶半導体層を酸化することにより強電界ドリフト層を形成する工程とを有することを特徴とする電界放射型電子源の製造方法。

Fターム (8件)：

5C127AA01 ,  5C127AA20 ,  5C127BB11 ,  5C127CC22 ,  5C127DD64 ,  5C127DD77 ,  5C127EE15 ,  5C127EE17

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電子放出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-075439   出願人：パイオニア株式会社
• 特開昭62-299011
  
• 電界放射型電子源およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-271523   出願人：松下電工株式会社
• 電界放射型電子源
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-211453   出願人：松下電工株式会社