特許

J-GLOBAL ID：200903068990563607

窒化ケイ素焼結体とその製造方法

発明者： 横田 博 ,  江本 秀幸 ,  伊吹山 正浩
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-216018
公開番号（公開出願番号）：特開2002-029850
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2002年01月29日
要約：

【要約】【課題】高熱伝導性と優れた機械的特性とを併せ持つ窒化ケイ素焼結体を提供する【解決手段】Si3N4粉末にY及びLn族元素からなる群より選ばれる一種以上の酸化物を添加してなる原料粉末を、成形し、焼結するSi3N4焼結体の製造方法であって、前記Si3N4粉末がAlを300ppm以下、Oを1.5質量%以下含有し、α化率が70%以下であり、得られるSi3N4焼結体中の2μm以上の短軸径を有するSi3N4粒子がO、Al、Ca、Feを合計で1500ppm以下含有し、しかも2μm未満の短軸径を有するSi3N4粒子がO、Al、Ca、Feを合計で3000ppm以下含有するように、 Si3N4粒子を成長させながら焼結するSi3N4焼結体の製造方法。

請求項（抜粋）：

窒化ケイ素粉末にイットリウム及びランタノイド族元素からなる群より選ばれる一種以上の酸化物を添加してなる原料粉末を、成形し、焼結する窒化ケイ素焼結体の製造方法であって、前記窒化ケイ素粉末がアルミニウムを300ppm以下、酸素を1.5質量%以下含有し、α化率が70%以下であり、得られる窒化ケイ素焼結体中の2μm以上の短軸径を有する窒化ケイ素粒子が酸素、アルミニウム、カルシウム、鉄を合計で1500ppm以下含有し、しかも2μm未満の短軸径を有する窒化ケイ素粒子が酸素、アルミニウム、カルシウム、鉄を合計で3000ppm以下含有するように、窒化ケイ素粒子を成長させながら焼結することを特徴とする窒化ケイ素焼結体の製造方法。

IPC (3件)：

C04B 35/584 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/15

FI (4件)：

C04B 35/58 102 C ,  H01L 23/12 D ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/14 C

Fターム (13件)：

4G001BA08 ,  4G001BA09 ,  4G001BA32 ,  4G001BA71 ,  4G001BA73 ,  4G001BB08 ,  4G001BB09 ,  4G001BB32 ,  4G001BB71 ,  4G001BB73 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BC55

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電子部品搭載用窒化ケイ素質基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-264560   出願人：京セラ株式会社
• 窒化ケイ素複合基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-306497   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平2-255573
  
• 特開平2-255573