特許
J-GLOBAL ID：200903073320877310
窒化ケイ素複合基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-306497
公開番号（公開出願番号）：特開2000-128654
出願日： 1998年10月28日
公開日（公表日）： 2000年05月09日
要約：
【要約】【課題】 セラミック基板としてSi3N4基板を用い、機械的衝撃や熱的衝撃によっても板に亀裂が発生せず、放熱特性並びに耐熱サイクル特性に優れたSi3N4複合基板を提供する。【解決手段】 熱伝導率が90W/m・K以上、3点曲げ強度が700MPa以上のSi3N4基板を用い、その片方の主面上に接合された金属層tmと、Si3N4基板の厚さtcの関係を2tm≦tc≦20tmを満たすように設定する。また、Si3N4基板の両方の主面上に金属層を接合する場合には、両主面上の金属層の合計厚さttmとの間で、ttm≦tc≦10ttmの関係を満たすように設定する。
請求項（抜粋）：
熱伝導率が90W/m・K以上、3点曲げ強度が700MPa以上である窒化ケイ素セラミック基板と、その片方の主面上に接合された金属層とを備え、窒化ケイ素セラミック基板の厚さをtc、金属層の厚さをtmとしたとき、tcとtmが関係式2tm≦tc≦20tmを満たすことを特徴とする窒化ケイ素複合基板。
IPC (3件)：
C04B 37/02
, H05K 1/02
, H05K 1/03 610
C04B 37/02
, H05K 1/02 A
, H05K 1/03 610 D
4G026BA17
, 4G026BB23
, 4G026BB27
, 4G026BC01
, 4G026BD14
, 4G026BF11
, 4G026BH07
, 5E338AA01
, 5E338AA02
, 5E338AA18
, 5E338CC01
, 5E338CD11
, 5E338EE02
