特許

J-GLOBAL ID：200903068999054098

フォトマスク補正方法、フォトマスク、露光方法、及び露光装置

発明者： 大濱 長法 ,  池田 武司 ,  谷脇 和磨 ,  茅根 博之
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-084700
公開番号（公開出願番号）：特開2007-256880
出願日： 2006年03月27日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】 高価な投影露光方式の露光機を使用せずに安価な近接露光方式の露光機を使用して露光パターンの高解像度化を容易に実現する。【解決手段】 フォトマスクの開口部または遮光部に、それらの周囲に沿って補正パターン15としての遮光パターンまたは開口パターンを設ける。これによって、フォトマスクの開口部または遮光部14aの外周と補正パターンとの直角部頂点が引っ張り合うような形で、最終的に基板上に形成されるパターンは、歪みも小さく、コーナーの丸み、すなわちR値も小さく抑えた形状を得ることができる。この結果、フォトマスクを容易に補正することができ、露光パターンの高解像度化が実現できる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

近接露光方式に使用するフォトマスクの補正方法であって、 前記フォトマスクのマスクパターンとして形成される開口部内に、前記開口部の外周の遮光部分に沿った遮光補正パターンを設けた、 ことを特徴とするフォトマスク補正方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20

FI (2件)：

G03F1/08 D ,  G03F7/20 501

Fターム (8件)：

2H095BA03 ,  2H095BA12 ,  2H095BB02 ,  2H095BC09 ,  2H097AA06 ,  2H097GA45 ,  2H097JA02 ,  2H097LA12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-029140   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 特開昭63-309953
  
• ハーフトーン位相差マスクのマスクパターン及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-356513   出願人：沖電気工業株式会社