ハーフトーン位相差マスクのマスクパターン及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-356513
公開番号（公開出願番号）：特開2000-181047
出願日： 1998年12月15日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】十分な遮光特性を得るとともに、パターンのエッジ部でのレジストプロファイルの劣化、膜減り等を防ぐことができ、しかも、遮光特性を得るためのパターンデータ量を少なくすることができるハーフトーン位相差マスクのマスクパターン及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置製造でのリソグラフィ工程で用いられるハーフトーン位相差のマスクパターンにおいて、遮光帯を解像限界から解像限界の1.5倍程度の幅を有する残しパターン12と、解像限界の1/2程度以下の幅を有する抜きパターン13とを具備する。

請求項（抜粋）：

半導体装置製造でのリソグラフィ工程で用いられるハーフトーン位相差マスクのマスクパターンにおいて、遮光帯を解像限界から解像限界の1.5倍程度の幅を有する残しパターンと、解像限界の1/2程度以下の幅を有する抜きパターンとを具備するハーフトーン位相差マスクのマスクパターン。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 A , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 528

Fターム (7件)：

2H095BA02 , 2H095BB02 , 2H095BB03 , 2H095BB36 , 5F046AA25 , 5F046BA04 , 5F046BA08

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-204653
ホトマスク、ホトマスクの製造方法、パタン形成方法、半導体装置の製造方法及びマスクパタン設計用の装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-183673 出願人：株式会社日立製作所
ホトマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-084293 出願人：株式会社日立製作所

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