特許

J-GLOBAL ID：200903069051032042

液晶表示装置

発明者： 鈴木 孝明 ,  高橋 卓也
出願人/特許権者： 株式会社 日立ディスプレイズ
代理人 (2件)： 井上 学 ,  戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-252987
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088049
出願日： 2007年09月28日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：

【課題】 下地との優れた密着性を有し、銅やシリコンの拡散を防止し低抵抗銅配線を備えた液晶画像表示装置を提供する。【解決手段】 アモルファスシリコン等を形成した基板上に、窒化物の生成自由エネルギが負の金属を添加した銅-金属合金ターゲットを用いて窒素+アルゴン雰囲気で金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金層を形成する。次にアルゴンのみで銅と金属の合金膜を成膜することで拡散バリアを有する金属元素を含有する銅を主成分とする合金膜と、金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金膜との積層配線を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板の一方の基板に形成される複数の走査信号線と、前記複数の走査信号線とマトリックス状に交差する複数の映像信号線と、前記走査信号線と前記映像信号線との交点付近に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有し、 前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極及び前記映像信号線は、前記基板上に形成された第一合金層と、前記第一合金層上に形成された第二合金層とを有し、 前記第一合金層は、銅を除く少なくとも1種類以上の金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金膜であり、 前記第二合金層は、前記第一合金層の金属元素と共通の添加金属元素を含有する銅を主成分とする合金膜である液晶表示装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/285 ,  G02F 1/134 ,  G02F 1/136

FI (11件)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 612C ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 M ,  H01L21/88 R ,  H01L21/285 S ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1362

Fターム (73件)：

2H092GA24 ,  2H092GA27 ,  2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092KA17 ,  2H092KA18 ,  2H092KB01 ,  2H092KB03 ,  2H092KB04 ,  2H092KB05 ,  2H092NA28 ,  2H092NA30 ,  4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF13 ,  4M104HH04 ,  4M104HH08 ,  5F033GG04 ,  5F033HH12 ,  5F033HH35 ,  5F033HH38 ,  5F033LL03 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ73 ,  5F033VV15 ,  5F033WW02 ,  5F033WW04 ,  5F033XX13 ,  5F033XX28 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-313642   出願人：株式会社東芝
• 多層配線の構造及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-214110   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

• 配線用薄膜およびスパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-236653   出願人：東ソー株式会社
• 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-074685   出願人：サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド