特許

J-GLOBAL ID：200903069059761477

高い特性係数を有するインダクタを含む集積回路装置

発明者： ジェラール メルケル ,  ミシェル ポーン ,  パトリック セン ,  ジャン ミシェル ファルニエール
出願人/特許権者： フランセ テレコム
代理人 (1件)： 二瓶 正敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-118658
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353784
出願日： 2000年04月19日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 高周波帯域用集積回路インダクスンスに関して漂遊キャパシタンスおよび漏れ抵抗の影響を低下させることによって、特性係数Qを改善する。【解決手段】 集積回路を回路モデルとして見れば、回路の金属化レベルで形成されたインダクタLと、このインダクタの下の集積回路の基板内にある埋込み層(漂遊キャハシタンスCP及び漏れ抵抗Rp)とにより構成される。高周波域においてインダクタと埋込み層の間が動的応答で同電位となるように、基板内で漂遊キヤパシタンスCP1〜2に並列に作動周波数よりはるかに高い遷移周波数をもホロワ型トランジスタTに接続され、インダクタの機能を維持する。

請求項（抜粋）：

回路の金属化レベルで形成されたインダクタと、前記インダクタの下の集積回路の基板内にある埋込み層とにより構成される集積回路であって、前記集積回路が、インダクタを埋込み層に接続する接続手段を含み、インダクタと埋込み層の間が動的応答で同じ電位となるように構成されていることを特徴とする集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01F 27/00

FI (2件)：

H01L 27/04 L ,  H01F 15/00 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 高電圧のプレーナ端部終端構造物とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-189751   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 特開平3-285333
  
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-224637   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-030406