半導体素子のコンタクト電極の形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-289748
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100655
出願日： 2001年09月21日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】半導体素子のコンタクト電極を、コンタクト抵抗の低い状態に容易に形成することが困難であった。【解決手段】半導体基体10の表面上にSiOx(但し、xは2よりも小さい数値)から成る第1の絶縁膜11a、とSiOy(但し、yは>x)から成る第2の絶縁膜11bと、BPSGから成る第3の絶縁膜12とを形成する。エッチングレートの違いを利用して第3の絶縁膜12と第2の絶縁膜11bの一部に第1の孔14を形成する。第3の絶縁膜12を加熱して第1の孔14を漏斗状孔14aに変形する。第1及び第2の絶縁膜11a、11bをエッチングして漏斗状孔14aに連続する第2の孔15を形成し、半導体基体10の表面を露出させる。漏斗状孔14aと第2の孔15とから成るコンタクト開口16にステップカバレージの良い電極17を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基体の一方の主面にシリコンに対する酸素の割合が第1の値のシリコン酸化物から成る第1の絶縁膜とシリコンに対する酸素の割合が前記第1の値よりも大きい第2の値を有しているシリコン酸化物から成る第2の絶縁膜とボロン及びリンを含有するシリコン酸化物から成る第3の絶縁膜とを積層状態に形成する工程と、前記第2及び第3の絶縁膜に対するエッチングレートが前記第1の絶縁膜に対するエッチングレートよりも大きい反応ガス又はエッチング液を使用して前記第3の絶縁膜及び第2の絶縁膜の少なくとも一部を選択的に除去し、その底面側に少なくとも前記第1の絶縁膜の一部が残存している第1の孔を形成する工程と、前記第3の絶縁膜に熱処理を施して少なくとも前記第1の孔を囲む部分をリフローさせ、前記第1の孔の入口がその底部よりも広くなるようなテーパー状壁面を形成する工程と、前記第1の孔の底面と前記半導体基体との間に残存している第1及び第2の絶縁膜又は第1の絶縁膜をエッチングで除去して前記第1の孔に連続する第2の孔を形成する工程と、前記第1及び第2の孔から成るコンタクト開口に導電性材料を埋め込んでコンタクト電極を形成する工程とを有していることを特徴とする半導体素子のコンタクト電極の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/28 V , H01L 21/316 M , H01L 21/316 P , H01L 21/316 X , H01L 21/90 C

Fターム (51件)：

4M104AA01 , 4M104BB02 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD12 , 4M104DD16 , 4M104DD34 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104EE12 , 4M104EE16 , 4M104GG06 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH13 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F033HH08 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033KK01 , 5F033NN32 , 5F033PP19 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ16 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ74 , 5F033QQ75 , 5F033RR04 , 5F033RR15 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033TT02 , 5F033XX00 , 5F033XX02 , 5F033XX09 , 5F058BA05 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD06 , 5F058BD07 , 5F058BF02 , 5F058BF23 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BH08 , 5F058BH10

引用特許：

出願人引用 (12件)

特開昭64-032651
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-215628 出願人：株式会社日立製作所
特開昭63-179551

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審査官引用 (9件)

特開昭64-032651
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-215628 出願人：株式会社日立製作所
特開昭63-179551

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