特許
J-GLOBAL ID：200903069112272378
窒化物半導体素子及び半導体レーザダイオード
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-056870
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242587
出願日： 1997年02月24日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 LEDの発光効率及びLDの閾値電流,電圧を小さくすることができる、電力効率及び量子効率の高い窒化物半導体素子を実現する。【解決手段】 p型窒化物半導体からなるp型コンタクト層と、該p型コンタクト層とオーミック接触するp型電極とを備えた窒化物半導体素子であって、p型コンタクト層を、Mgが5×1019/cm3以上の濃度にドープされた窒化物半導体からなりかつ500Å以下の厚さに形成する。又はp型コンタクト層を、直下のp型窒化物半導体層よりバンドギャップエネルギーが小さいp型窒化物半導体を用いかつ500Å以下の厚さに形成する。
請求項（抜粋）：
p型窒化物半導体層上に、p型コンタクト層を介して形成されたp型電極を備えた窒化物半導体素子であって、上記p型コンタクト層は、上記p型窒化物半導体層よりバンドギャップエネルギーが小さいp型窒化物半導体からなり、かつ500Å以下の厚さに形成されたことを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
