特許
J-GLOBAL ID：200903069131189953

固体撮像素子及びその製造方法

発明者：
北澤 良幸

北澤 良幸 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-265767
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080457
出願日： 2004年09月13日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】 裏面照射型の固体撮像素子において、各光電変換部の取り扱い電荷量のバラツキ、感度の基板面内でバラツキの抑制及び混色防止、さらに光電変換部の開口率の低下、感度低下等を抑制を図る。【解決手段】 半導体基板32に光電変換部34と、この光電変換部34の信号電荷を読み出す手段Trからなる複数の画素35が形成され、半導体基板32の裏面側に各画素35の光電変換部34に近接した開口部52を有して、少なくとも開口部52の内壁面に反射膜45が形成されてなり、半導体基板32の裏面側の面を光照射面として成る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に光電変換部と、前記光電変換部の信号電荷を読み出す手段からなる複数の画素が形成され、 前記半導体基板の裏面側に前記各画素の光電変換部に近接した開口部を有して、少なくとも前記開口部の内壁面に反射膜が形成されてなり、 前記半導体基板の裏面側の面を光照射面とした ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (4件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335 ,  H04N 9/07 ,  H01L 27/14
FI (5件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U ,  H04N9/07 A ,  H01L27/14 D
Fターム (29件)：
4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118GA02 ,  4M118GA08 ,  4M118GA09 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118GD15 ,  5C024AX01 ,  5C024CX03 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024DX01 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5C065BB19 ,  5C065BB42 ,  5C065CC01 ,  5C065DD15 ,  5C065DD17 ,  5C065EE05 ,  5C065EE06 ,  5C065EE10
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-014884   出願人：エヌティティエレクトロニクス株式会社
  • 特開昭62-018075
  • 特開昭63-204666
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