特許
J-GLOBAL ID：200903069156176554

レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法

発明者：
牧野 雅臣

牧野 雅臣 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-255847
公開番号（公開出願番号）：特開2008-076747
出願日： 2006年09月21日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：
【課題】活性光線又は放射線、特に、KrFエキシマレーザー光、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、LWR(ラインウィイズスラフネス)、疎密依存性の低減を同時に満足し、また溶解コントラストも良好なレジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供することにある。【解決手段】酸分解性アセタール基を有する芳香族基を含む(メタ)アクリル系繰り返し単位を含有する樹脂、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含むことを特徴とするレジスト組成物とそのパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)一般式(1)で表される繰り返し単位を含有する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含むことを特徴とするレジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/30
FI (3件)：
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F20/30
Fターム (59件)：
2H025AA01 ,  2H025AB16 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB02T ,  4J100AB04T ,  4J100AB07Q ,  4J100AL03S ,  4J100AL04S ,  4J100AL08P ,  4J100AL08R ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02S ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04Q ,  4J100BA05R ,  4J100BA20Q ,  4J100BA22Q ,  4J100BA31R ,  4J100BA40T ,  4J100BB01P ,  4J100BB01T ,  4J100BB03P ,  4J100BB07R ,  4J100BB18R ,  4J100BC02S ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04S ,  4J100BC04T ,  4J100BC07S ,  4J100BC08S ,  4J100BC09S ,  4J100BC12P ,  4J100BC12S ,  4J100BC43P ,  4J100BC43Q ,  4J100BC43R ,  4J100BC48R ,  4J100BC49P ,  4J100BC49R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC58R ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 感放射線性樹脂組成物
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-344910   出願人：ジェイエスアール株式会社
  • 新規ポリマー
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-035572   出願人：和光純薬工業株式会社

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