特許
J-GLOBAL ID：200903069160865992
磁電変換素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-063575
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261131
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 小型で低磁場での感度を向上させるとともに生産性を向上させる磁電変換素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 磁電変換素子は、シリコン基板11と、シリコン基板11の表面13側に形成され且つ外部磁界の大きさに応じた電気信号を出力するホール素子部15と、シリコン基板11の裏面17側のホール素子部15に対向する部分で且つホール素子部15の近傍までの部分に、裏面17からホール素子部15に向かうに従って小径となるテーパ状に形成されたエッチング溝19と、このエッチング溝19に埋め込まれ且つ外部磁界をホール素子部に集束させる高透磁率の磁性体21とを備える。
請求項（抜粋）：
半導体素子からなるウェハと、このウェハの表面側及び裏面側の一方の面側に形成され且つ外部磁界の大きさに応じた電気信号を出力する磁電変換素子部と、前記ウェハの表面側及び裏面側の他方の面側の前記磁電変換素子部に対向するウェハ部分で且つ前記磁電変換素子部の近傍までのウェハ部分に、前記他方の面から前記磁電変換素子部に向かうに従って小径となるテーパ状に形成された溝部と、この溝部に埋め込まれ且つ前記外部磁界を前記磁電変換素子部に集束させる磁性体と、を備えることを特徴とする磁電変換素子。
IPC (4件)：
H01L 43/02
, G01F 1/22
, G01R 33/07
, H01L 43/12
H01L 43/02 Z
, G01F 1/22
, H01L 43/12
, G01R 33/06 H
