特許
J-GLOBAL ID：200903069163027637

SOI基板の製造方法

発明者：
中井 哲弥

中井 哲弥 について

, 
新行内 隆之

新行内 隆之 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について

, 
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-062534
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321594
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】【課題】 基板表面の活性領域のSi層に転位欠陥を形成しにくい。比較的低い加速電圧により、基板表面粗さを小さくして、かつ所定の深さ領域に境界が急峻で層厚の小さな埋込みシリコン酸化層を形成し得る。また基板中の重金属を低減し得る。【解決手段】 シリコン基板11に真空中で少なくともHeイオン等のシリコンに反応しないイオンを注入することによりシリコン基板11内部にイオン注入損傷領域12を形成した後、イオン注入損傷領域12が形成されたシリコン基板11を酸化性雰囲気中で1000°C〜1400°Cの温度でアニール処理してシリコン基板11表面から所定の深さの領域に埋込みシリコン酸化層13を形成して基板表面に単結晶Si層11aを形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板(11)に真空中で少なくともHeイオン、Hイオン、Arイオン又はSiイオンを注入することにより前記シリコン基板(11)内部にイオン注入損傷領域(12)を形成する工程と、前記イオン注入損傷領域(12)が形成されたシリコン基板(11)を酸化性雰囲気中で1000°C〜1400°Cの温度でアニール処理して前記シリコン基板(11)表面から所定の深さの領域に埋込みシリコン酸化層(13)を形成して前記基板表面に単結晶Si層(11a)を形成する工程とを含むことを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/00 301
FI (6件)：
H01L 27/12 E ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 27/00 301 S ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/76 R
引用特許：
審査官引用 (4件)
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