熱電素子及び熱電装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-279766
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102645
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】熱電素子の性能を維持したまま、半田成分の拡散を防止すること【解決手段】熱電半導体素子50、60の半田80との接触面50a、50b、60a、60bに厚さ7μm以上のニッケルメッキ層70を形成する。ニッケルメッキ層の厚さを7μm以上とすることにより、ニッケルメッキ層表面のピンホールの発生が抑えられる。このためピンホールを通って接合部材の成分が熱電素子内に拡散することを極力防止できる。

請求項（抜粋）：

表面に厚さ7μm以上のニッケルメッキ層が形成された熱電素子。

IPC (2件)：

H01L 35/32 , H01L 35/08

FI (2件)：

H01L 35/32 A , H01L 35/08

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-249385
熱電素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-178989 出願人：セイコー電子工業株式会社
熱電素子、及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-036180 出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社, 株式会社エスアイアイ・アールディセンター

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