特許
J-GLOBAL ID：200903090300827424
ペルチエクーラおよび半導体レーザモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山内 梅雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-054004
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250796
出願日： 1995年03月14日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】 構造が簡単でしかも光学系を長期にわたって安定化させその信頼性を確保することのできるペルチエクーラを得ること。【構成】 ペルチエクーラ31は、複数のペルチエ素子41と、これらを直列に接続するためにこれらの両側に配置された金属電極42、43と、これらの金属電極を外側から挟持するようにそれぞれ配置された第1および第2のセラミック基板44、45と、これらを更に外側から挟持するようにこれらとそれぞれロー付けにより固定された第1および第2の金属基板46、47とで構成されている。金属基板46、47は半導体レーザのモジュールパッケージや光学部品を配置した基板とYAGレーザによって溶接可能であり、ロー付けによる固定と併せて、クリープの原因となる低温はんだの使用を排除している。
請求項（抜粋）：
複数のペルチエ素子と、これらのペルチエ素子を直列に接続するためにこれらの両側に配置された金属電極と、これらの金属電極を外側から挟持するようにそれぞれ配置された第1および第2のセラミック基板と、これら第1および第2のセラミック基板を更に外側から挟持するようにこれらとそれぞれロー付けにより固定された第1および第2の金属基板とを具備することを特徴とするペルチエクーラ。
IPC (5件)：
H01S 3/133
, F25B 21/02
, G02B 6/32
, G02B 6/42
, H01S 3/18
H01S 3/133
, F25B 21/02 B
, G02B 6/32
, G02B 6/42
, H01S 3/18
